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產(chǎn)品資料
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半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀

產(chǎn)品名稱: 半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀
產(chǎn)品型號: FAC-2
產(chǎn)品特點: 半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀
日本理研（Riken Keiki）FAC-2 是一款“大氣環(huán)境中用即速費米能級測量儀"，采用開爾文（Kelvin）探針法，可在 10 秒內(nèi)完成一次測量，無需抽真空，也無需精確調(diào)整探針-樣品間距，適合半導體、金屬薄膜、催化劑等表面費米能級（功函數(shù)）的現(xiàn)場快速評價。
1. 核心規(guī)格
測量方式：開爾文法（振動電容法）
能量范圍：3.4–6.2 eV（以功函數(shù) 5

半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀 的詳細介紹

半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀

半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀

日本理研（Riken Keiki）FAC-2 是一款“大氣環(huán)境中用即速費米能級測量儀"，采用開爾文（Kelvin）探針法，可在 10 秒內(nèi)完成一次測量，無需抽真空，也無需精確調(diào)整探針-樣品間距，適合半導體、金屬薄膜、催化劑等表面費米能級（功函數(shù)）的現(xiàn)場快速評價
。

1. 核心規(guī)格

  • 測量方式：開爾文法（振動電容法）
  • 能量范圍：3.4–6.2 eV（以功函數(shù) 5 eV 的金標樣校準時）
  • 重復再現(xiàn)性：≤ ±0.02 eV（標準偏差）
  • 單次測量時間：≤ 10 s（金屬樣品典型值）
  • 有效測試面積：φ10 mm
  • 樣品形態(tài)：塊體、薄膜、粉末均可；大 30 mm × 30 mm，厚度無特殊限制
  • 測量環(huán)境：大氣（10–35 °C，≤ 60 %RH），無需真空或惰性氣體保護

2. 系統(tǒng)構(gòu)成

  • 主機：內(nèi)置振動探針、鎖相放大器、能級掃描光源及控制電路
  • 參考電極：鍍金不銹鋼探針，可單獨更換
  • 軟件：實時顯示費米能級（eV）及功函數(shù)變化曲線，可導出 CSV
  • 數(shù)據(jù)存儲：內(nèi)置 1 000 組測量值，支持 USB 閃存拷貝

3. 典型應用

  • 半導體晶圓、太陽能電池、FET 器件的表面費米能級分布測繪
  • 金屬/氧化物催化劑在反應前后的功函數(shù)變化追蹤
  • 剛成膜后金屬表面隨時間氧化的原位監(jiān)測
  • 材料界面接觸電位差（CPD）與腐蝕電位關聯(lián)研究

4. 安裝與維護

  • 供電：AC 100 V 50/60 Hz，功率約 30 W
  • 外形/重量：235 × 330 × 408 mm（W×H×D，顯微鏡臂收起時），約 12 kg
  • 年度校準：使用附帶金標樣進行兩點校準（5.0 eV 與 4.2 eV），無需返廠
  • 耗材：探針壽命 > 5 000 次，臟污可用無水乙醇棉簽輕擦


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